求超低压比较器结构

我现在需要一个超低压比较器，主要需求： 最低电源电压0.65v，pmos、nmos的阈值分别是-0.6v 0.6v
因为电源电压和mos的阈值电压几乎一样，我没有找到能够可靠工作在这么低压的的结构，不知哪位可以提供一个供参考，另外关键一点工艺是nsub、pwell的，而且实际工作时，比较的输入电压最高也达到0.6v。

维纶电缆管

用在太阳能应用

个人认为太阳能电池应用中，低压电源就得依靠低压启动的BOOST DC-DC转换器先转到较高的电压，才能应用。否则0.5V的电压在现有电源管理芯片常用的0.6um工艺中，电路是无法正常稳定工作的。最近正准备开始着手一个太阳能电池应用的芯片（好像就是超低压BOOST芯片），貌似小编做的和我们准备开始的项目一样。不知道小编是哪里的?

不知道楼上做太阳能应用的进行的怎么样了
我有几个问题　0.5V你打算升到几Ｖ?一次升还是两次?
单片应用的输入输出功率大概是多少?效率打算做到多少?

0.65V电源　靠普通结构很难正常工作　不知道你用什么工艺?　Vtn Vtp又各是多少?　　

应该double就够了吧. 0.6*2=1.2, 考虑到效率问题。maybe 升级到3倍比较合理, 0.6*3*80%, 应该有~1.5,这样,足够了。呵呵。.
但是电流应用率应该比较低哦。..

背栅可以实现
标准cmos工艺下的超低压放大器基本上都是背删结构

即使使用背栅，还是要用镜像电流源作为负载把差分输入转换成单端输出，而镜像电流源的二极管就会吃掉电源电压，无法在分给差分对和尾电流源 了

good！

学习了，多谢各位前辈

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