计算跨导时,栅氧层电容Cox值取多少
时间:10-02
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在NMOS电路中(一个NMOS管),计算跨导时,公式中的Cox取什么值?这个值怎么得到?
PS:Cox与Tox有比例关系,但是我计算时,得到的结果与拉扎维的习题答案不一样,这是为什么?
PS:Cox与Tox有比例关系,但是我计算时,得到的结果与拉扎维的习题答案不一样,这是为什么?
每个例子都不一样,一般工艺文件中就有,但拉扎维的习题我就不知道了
(介电常数*8.854*10e-12) / tox
用这个公式,工艺不同tox不同,一般sansen认为 tox=Lmin/50 但是也不尽然。
Cox=εr*ε0*S/tox;
ε0=8.85*10^(-12),真空介电常数;
εr=3.9,二氧化硅的相对介电常数;
S是单位面积,一般取平方微米;
tox是唯一和工艺相关的,自己从model中找吧;
这样算出的数值应该和仿真比较接近;
看看分析过程是否对,结果是手算的,有差别正常啊
对的
一般而言,对于0.5um的工艺,Cox大约是3.4fF/平方微米,L越小,Cox应该以同样的比例增加。
谢谢喽,嘿嘿
小弟也遇到同样问题,求大神降临
手算可以取粗略的值
好像是一个工艺库 Cox的值就相对是固定的;