基准最大值与最小值压差太大,怎么办?
时间:10-02
整理:3721RD
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给位大侠:
小弟新设计一个纯双极工艺的基准电路,调试后可得到倒碗状温度曲线,但最高基准电压和最低基准电压相差居然有12mV?
请问有遇到类似问题的吗?是哪里出了问题?
小弟新设计一个纯双极工艺的基准电路,调试后可得到倒碗状温度曲线,但最高基准电压和最低基准电压相差居然有12mV?
请问有遇到类似问题的吗?是哪里出了问题?
正常,要想小,做高阶补偿
大哥,这是工艺的问题,还是机构造成的?之前有cmos做基准也没见这么大啊?
是啊,先要弄清是工艺还是电路的问题
mismatch 面积的匹配是否可以考虑
你所用的model是否完整
温度系数应该都一样吧
纯双极?几mV差不多吧!
Gain不高可能会是12mv
你这12mV是一个工艺角的?就仿真值而言仿真值而言很大了;电路参数还没调好吧。
你这个12mv的偏差是仿真值还是实测值?如果是仿真值,是一个TVP条件下的还是所有corner下的?
有些工艺里BJT温度曲线里VBE和△VBE二次项本来就很大
然后就要考虑运放输入offset本身是不是就是温度相关
是在一个corner下的仿真结果,也觉得奇怪啊,看仿真曲线的话基准相对于25摄氏度对称的啊,就会左右两边的斜率很大,导致的最高点-最低的有12mV的压差...
小编这个是纯双极工艺?工作电压是多少伏啊?
VCC 从5V到40V的