有关CMOS仿真

请问一下：
在做仿真的时候，利用离子注入的方式做一个N-well，能量为360Kev，得到的N-well的深度，大约为0.9μm。
而我在看papers的时候，看到对于普通的CMOS工艺，N-well大约为4μm，高压CMOS为7μm。
能帮忙解释一下吗?谢谢

有人知道吗?