MOS电容的问题

自己做一个简单的模拟仿真：
设置MOS管的沟道长度或者宽度为变量，给定允许的MOS管栅极偏置，然后sweep变量，plot 仿真OP 结果里面的Cgg, 出来的结果应该是一根直线，那么说明直流工作点里面的Cgg确实是栅极总电容，而不是单位面积的电容。
你再自己做一个交流频率域的仿真，利用电容的交流阻抗为1/(2*pi*f*C)的原理看看能不能在仿真中得到验证。当然现在的MOS模型里面都不止一个电容，所以你会看到非理想的曲线而不是直线，但是应该一级近似是差不多的，和直流仿真的结果比较一下吧。

恩，确实是个好方法啊！好，试试哈！谢谢楼上了！

你的名字如果再加多一个x, 我们公司的防火墙就会拦住我了。哈哈。

MOS电容的mos管一般都会工作在反型区，可以根据WLCox来算MOS电容

手算只能算个大概，这年头的模型复杂着呢。MOS管的电容和偏置还有关系呢，而且也不是一个单独的电容，是分布式的，而且看你关注哪个频段。

刚刚自己跑过仿真，我说的两个方法出来的结果是一样的，我的例子里面交流和支流都给出了0.2fF的电容，几乎一样。
NMOS管，标准Vt, 栅极偏压 1V，W=120nm, L=100nm, 40nm工艺，Cgg=0.2fF。

谢谢小编的分享了！

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学习下，不错

总体电容在ESR不重要的情况下，反型偏置下，应该基本就是栅极总电容。

这么说总电容和W和L都没关系么?还是只是在OP仿真下这么认为呢?一般仿变容管，是不是只仿Ｃｇｇ就可以了?
不知道为什么我仿的反型变容管和积累型变容管的曲线都是非单调的呢?回复 2# amodaman

这么说总电容和W和L都没关系么?还是只是在OP仿真下这么认为呢?一般仿变容管，是不是只仿Ｃｇｇ就可以了?
不知道为什么我仿的反型变容管和积累型变容管的曲线都是非单调的呢?图中纵坐标是DC下的电容，而我仿真的时候Vgs加的是交流，幅度为1，频率为1M DC=Vgs，请问这么做对么

先进工艺下栅极有漏电流的，这样扫可能会有问题。

OMG, 这是09年的帖子。根本啥都不记得了。