Noise Problem

hi all, why the 8u/2u NMOS in the picture contributes nearly 600nV/sqrtHz @20Hz ? I check the noise summary and find that the noise is mainly id noise, however the noise is decreasing with the frequency increasing. Does anybody have an idea?

因为Id=0，所以1/f噪声=0，然而沟道电阻仍然存在，所以有热噪声，图中标示了提示，热噪声随f的升高而下降。gds的值可在dc仿真后dc_OpInf中查

谢谢指点，但是还有点问题需要请教，如果说按SPICE2来算噪声是8kTgds/3，如果gds是几百f的话，算出来和仿出来差很多，如果按BSIM3来算的话是4kTuQinv/L^2，Qinv=6p，算下来也差很多，这是为什么呢。另外总噪声功率应该是KT/C，但为何仿出来和MOS的尺寸非常相关呢?

楼上，厉害

真牛这解答~

佩服
分析问题非常清晰，令人眼界大开。

非常感谢，受益匪浅，不过有个问题之前提到过就是对于4kTuQinv/L^2这个公式，那么对于仿真值Qinv=6p，k=1.38e-23，u=1000，T=300，L=10u，带入这个公式之后算出来应该是1nV/sqrtHz，但是实际仿真值是600n，那么是不是有其他没有考虑到的地方呢。

1)u应使用国际单位，1000cm^2/(v*s)=0.1m^2/(v*s)
2)Qinv=qdi+qsi , qdi为d端反型电荷，qsi为s端反型电荷，不要直接使用那个Qinv，因为数量级完全不对头.
3)4kTuQinv/L^2这个公式是电流源的电流，你现在代入求得的是电流1nA/sqrtHz而不是1nV/sqrtHz，你需要
求解的是节点电压，通过id/gds^2转换成电压
第2和第3点我在4楼已经有写到，还望你细看

我现在单独仿真一个反偏diode连接的管子1u/16u。qsi=qdi=480e-21，那么带入公式id^2是6.4e-30A，gds是18e-18，那么在极点之前应该是140V/sqrtHz，这是不是又太大了，因为仿真得出的值是400uV/sqrtHz，另外极点的位置也不在gds/2piC=3uHz而是在600mHz，那么是不是还要考虑结电容以及一些寄生电容?但是这个量级差别有点太大了。谢谢您的回答
还有个奇怪的情况是，我用正偏diode连接的管子1u/16u并联于之前的管子，结果不增反减少，这是怎么回事?

厉害，先不说理论，光编辑公式就很烦呢。

我拿tsmc 0.18做了一下验证，电路为1楼的图，c0=1p,2个管的尺寸L=2u，w=8u，把4楼的vd的表达式写进
ADE的计算器，下图是比较结果，幅值误差5%，可见分析方法没有问题，应该没有遗漏什么地方，至于寄生
电容，要看c0和cgg，cjd的比值，如果差得较少，就要考虑，你现在的差别是数量级，还未到考虑它的时候。

高手啊

您好，根据图中gds=9.56e-12，假定是其中一个管的gds，那么带入公式vd=sqrt(8kT/3gds)=34u@DC，而图中曲线在1.5u附近，请问是什么原因?

佩服！请问noimod是什么意思呢?noimod=2时的噪声表达式，在哪里有说明呢?
我只知道noimod=1，是教科书里面MOS的热噪声表达式。

因为tsmc的noimod=2，spectre没有使用这个式。你可能觉得2个模式差得也太多了吧，所以我建议你在tsmc上实际仿一下，所有参数都能看到，再算一算，看看能否对上。

在bsim3v3和cadence的文档里

这到不是，我这边算下来spice2和bsim3的值差不多，在一个数量级。但是和仿真的结果不一样。非常感谢你的解答，我再看看

1）看来你并没有在tsmc 0.18上实际算一下，不宜轻易就说那倒不是。
2）将你的model文件发给我，lgy737@21cn.com

我用的是.35的，你那边有吗

.35的只有csmc，smic，tsmc，你是那个?