边沿对准电路（edge aligner）出现瞬间大电流的情况？

边沿对准电路（edge aligner）：当CLK为高时，NAND1的NMOS导通，并且CLKN为为低，NAND2的PMOS导通，从而NAND2的PMOS和NAND1的NMOS形成一条通路，NAND1的NMOS 的电流达到770uA，请问这个大电流会带来很大的功耗吗?这个电路能用吗?求指点

一看METAL线宽能否承受该瞬间电流大小，二看其功耗是否满足指标要求，功耗是看平均电流，感觉你这个瞬间电流偏大了点，浪费功耗的同时又要使得METAL宽度不小于0.5um, 如果一定要用该电路，可以减小导通相关的管子的宽敞比来降低相关电流

seeing

谢谢你的建议，我把管子的宽长比改小，那个瞬态电流是会变小，但还是有300uA左右，

我是想得到一对完全互补的信号，请问你有什么推荐的电路结构吗?

一路接两个反相器，一路接一个反相器加个传输门，调下尺寸让两路延迟相等；可以试试

谢谢你的建议，这个结构我试过，普通精度的互补信号还是可以得到，因为我看到很多文献上用的都是这个edge aligner电路。

文献上没有低功耗吧，对很多应用来说300uA不算大

文献上一般在什么TDC（时间-数字转换电路）中都用了这种电路，没怎么提到低功耗这个问题，我还想问就是这个大电流会烧坏管子吗?