有没有人遇到过mos管阈值电压反经典的情形？

菜鸟在spectre上提取tsmcrf.18库中mos特性参数时，发现：管子宽度保持不变（w=2um）,增大沟道长度（由.18um增到20um,步长0.2um），阈值电压反而越来越低，跟经典短沟效应不符；然后反过来，将长度与宽度调个头，发现长度不变（2um），宽度增加，阈值电压反而增加。不知有没有同仁遇到类似情况，烦请留个言，给个看法。先行谢过，望不吝指教！

现在的device都是这样的
由于现在器件都是采用halo结构的
不能用原来的理论去解释
原来的理论只是用于原来的结构而以

短沟道效应啊窄沟道效应涉及纳米电子学

期待全面的回复~

貌似比较不正常，还真没有在意过这个问题。希望有人说明了。

什么是Halo结构

我也不知道为的什么，老搞不明白呢
要举手回答的的朋友，楼下的请接着说哦

以速度慢　逐渐被淘汰　-效率低



想我们的敬爱想-我们的敬爱的敬礼！
上海厂房出售-感谢您对厂房网一如既往的支持
空调回收公司-各种家装办公室的空调回收服务
厂房出租-上海厂房出售一体化综合服务网
上海搬场-有口皆碑的上海企事业单位

前面的那种情形叫反短沟道效应。对于现代的短沟道器件，为了防止源和漏的耗尽层穿通，会在源和漏靠近沟道端重掺杂一点，叫pocket doping，也就是holo结构，于是这个重掺杂的部分在短沟时引起VT的上升，沟长取长，那么这一部分所占的沟道比例变小，于是，沟道的掺杂反而相对减少，VT下降

同意楼上的解释

楼上回答很有道理！

请问现在是不是大都采用短沟道设计呢?

刚好也遇到这问题长见识了···

SEE
http://bbs.eetop.cn/viewthread.php?tid=364983

关于不同工艺节点mos VTH的短沟道和反短沟道效应解释

多谢~

seeing