如何提高opamp的THD
我用的结构是PMOS输入,classAB输出,带宽是90M,
我想问的是要提高THD,需要注意哪方面呢?
我的理解是第一级对THD影响最大,而且Vov越大,THD越大!
谢谢!
提高直流增益。
老兄 应该是降低THD吧,
呵呵
对称
增加电流, 和输出摆副也有关系啊
提高THD的性能。
cmrr , psrr, band width (you should guarantee enough gain at 5M)
我也想知道
several guide lines to improve disto
1. find the source of nonlinearity: attack them directly by changing bias, adding nonlinear (feedforward) compensation
2. increase feedback gain for the particular nonlinear components (not just the overall opamp gain), this also includes modify freq compensation
对这一块不熟,学习!
增加-3db带宽,另外你输出应该是带很大的loading,所以calss ab的电流也要增加
同问!
凡是信号叠加的地方都要保证对称反相,这样可以消除偶次谐波失真。LZ的电路中主要是在输入差分管。如果还不满意,需要消除3次失真,就要在输入级采用类似吉尔伯特单元的CLASS AB输入。
和slew rate也有关系,也就是输出级电流
首先,运放第一级的非线性要比第二级少;这是因为运放在使用时第一级信号的输入范围要比第二级小很多(第一级提供了主要的增益)
至于如何减小总的谐波失真,最简单的方法就是增加工作信号频率点处的环路增益。
请拍砖,谢谢!
首先,运放第一级的非线性要比第二级少;这是因为运放在使用时第一级信号的输入范围要比第二级小很多(第一级提供了主要的增益)
至于如何减小总的谐波失真,最简单的方法就是增加工作信号频率点处的环路增益。
请拍砖,谢谢!
同问啊,最近做的rail to rail op amp THD太烂了。
你现在rail to rail 的线性度能做到多少?用的什么结构?
增益,带宽都有影响
信号频率处的增益要高
需要关注:
1)信号频率处的增益
2)内部节点的工作状态。主要从瞬态的角度去考虑,看内部节点电压摆幅是否会导致器件处于线性区。