NMOS如何做成10pF的电容？

NMOS的G作为一端,SDB连起来作为另一端,就可以了吧

根据TOX可大致估出COX，pick　COX*W*L＝１０pF

0.13um工艺面积不大的

设计好大概参数以后，还要通过前后仿真来确定

这个方法几乎毫无实用性。

MOS电容随Vgb的电压变化电容值变化比较大。建议小编根据以下步骤操作：
1，建一个单位面积的mos（如1u*1u），dc扫描Vgb电压，
2，用.print cggbo(mosname)可以得到mos电容值和Vgb的关系(hspice命令)
3，根据自己电容两端的压差确定这个单位面积的电容值，
4，根据自己需要在乘上倍数，得到你要的电容。
PS，如果两端压差较小，或者工作频率较高，工作在积累区可以获得比较好的效果（限pmos）。

不妨试试NCAP（NMOS做在NWELL中），这样电容值对偏置电压可以不太敏感。

Ncap MOS 确实好一些。但是只有0.35um以下工艺支持

MOS做电容是否是G作为一端，SDB连接以后做另外一端?那这个电容的大小是不是Cgs+Cgd+Cgb，而Cgb是WLCox与Cd的并联?我的公式如果正确，那这个电容的大小又如何计算呢?

这是具体工艺，我目前需要设计这个电容值的大小，20um*20um的nmos电容值如何计算?

你仿真过就知道在pf量级CGS和CGB可以不计了。你要精确也可以用cggdo（m）+cggso（m）+cggbo（m）命令获得更精确的结果，但是没啥用。

谢谢大神，我昨晚计算过，可能计算错误，1.25um工艺下，20um*20um的nmos电容大概只有0.1pF，我用的SPICE2级模型。求精确计算该电容的方法，而不是仿真方法。

仿真方法前面给你说过了。自己仔细读读，然后试试。

还有个问题，你的电容用在哪里?如果是对地滤波电容，用NMOS做没什么问题，即使有误差也没多大关系

nmos on nwell pmos capacitor