请教一个关于CSMC 0.5um标准工艺和0.5um BCD工艺的问题。

小弟用在CSMC 0.5um 标准工艺库里的 model application note 里读到一句话：Usually ,BJT model is not scalabal. Therefore,according to different emitter area,three BJT models are provided.
小弟有几个疑惑?
1、这句话是不是意味着如果是BJT，我可以设计其为任意大小?
2、如果这个BJT可以设计为任意大小，我在仿真库里就只看到了3个固定大小的BJT的模型，如果我要仿真其他大小的BJT那应该怎么办?
3、有没有对这个工艺熟的大神，我想问下，用这个工艺中的BJT能提供1A的驱动电流吗?
另：在CSMC 0.5um 的BCD工艺库里的model application note里，小弟也有几个疑惑?
1、为什么LDMOS没有给出具体的其导通电阻大小啊?这样我也无法得出其相应电压下最大驱动电流的大小。
2、有没有对这个工艺熟的大神，我想问下，用这个工艺中的BJT和LDMOS配合能提供1A的驱动电流吗?

附：小弟主要想做一个芯片驱动一个功率MOSFET，其输入电容为1nf左右，开关频率应该达到10M Hz。所以希望的驱动电流较大。
我是新手，希望各位教教我，混个学位不容易啊。

其输入电容为1nf左右，开关频率应该达到10M Hz
驱动I 要很大了

1，2，这句话的意思是，BJT你不能任意设计。只能用他给的现成的版图串联或并联。
3，标准工艺里的bjt最大beta才9.6，也就是说你输入的管子Ib要100mA ，每个BJT的驱动能力是有限的，我记得qvp10的一个在3mA左右，这个你仿真下知道了。beta大的qvp5就更小了，要输出1A的话，你自己算下要几个吧。
另：没有给的话，仿真下Vgs/id曲线。
应该是有的，我查下。

ST3600工艺的process application note里7.4.4节有LDMOS的Rdson，仔细看看。

受教了，多谢多谢。

大哥，能加你QQ吗?我的是411736546.

学习中！

纠正：
“1，2，这句话的意思是，BJT你不能任意设计。只能用他给的现成的版图串联或并联。”
仅并联。呵呵。

达灵顿接法算串联还是并联?我还没搞清楚，请赐教。