关于VTH0的参数提取

最近拿到一个新的工艺，用单管仿真提取一些模型参数
发现VTH0的提取值存在问题，请大家帮忙看看
提取方法：NMOS单管仿真
条件1：VBS=0；VDS=3；VGS=3V；
结果1：Ids=1.68mA
条件2：VBS=0；VDS=3；VGS=2.8；
结果2：Ids=1.52mA
用上述数据计算得到的VTH0竟然是个负数?！

? 直接sweep bias，然后用hspice的syntax可以直接看。现在的vtho不是你能用简单公式算出来的（当然可以做估计）

不用复杂，Level-1即可

求指点

直接看spice model

仿真完直接看不就得了么?算什么?

用的什么工艺