RGC电路共轭极点的问题

我有几个问题想请教一下，仿真下图一电路的时候出现了如下问题，其中电路参数如下（采用TSMC90nm工艺）：
Cs = 100fF
R1 = 1K
Rb = 1.9K
M1宽长4.5u/0.1u
Mb宽长2u/0.1u
Rs所在提供400uA电流
（1）根据以上数据和小信号得到A点为一个极点，这个电路的Rin(A点看进去的电阻)是0.109K总的输入电容Cin=116.374fF，则可以求得极点的频率是12.55G，图二所示是其AC仿真图，箭头所指的B点大约为12.5G，我想确认一下这个点是否是计算得到的极点?另外点A处为什么有同样类似的拐点?
（2）当我对这个电路进行PZ仿真的时候得到了图三所示的结果，从中可以看出是一对共轭极点（用其他电路仿真确认过PZ仿真的准确性），查得共轭极点是当2个极点相聚很近的时候才会发生，在这个电路中我不确定点C是否是第二个极点，请问：图中所示的共轭极点如何算得2个极点确定的大小?
（3）根据这个电路的小信号得到M1和Mb会引入一个零点，通过算得这个零点所在频率处为19.4G，按理来说会出现一个尖峰之类的东西，但是这个仿真图中并没有看到，求解释。图四所示为电路的小信号图。

（a）图一

（b）图二

（c）图三

（d）图四

A点输入电阻受C的极点影响，109欧姆是DC的吧?
A、C在反馈环路里，我觉得共轭极点可能是这两个。
看你仿真图，开始是不是-60dB/dec衰减?那么3个极点，后来变成-40dB因为多了一个零点?
零点的直观解释为Mb那级共源放大器对环路增益贡献降低至0，即C点看不到AC信号了，变成了DC偏执了?
这点路虽然简单，但很难分析，我也搞不很清楚