电阻选择的疑问

在smic18中有很多种电阻，nwell,poly,metal等，其方块电阻都不同，为了减小版图面积是不是应该采用方块电阻大的类型?但是担心这些电阻工艺不同，制造成本也不同?哪位大侠有经验，指点指点吧，该怎么选择，谢谢了

这几种电阻的特性书上都有说明,就不多说了
除了做上下拉电阻,ESD中会用到nwell电阻外,其他情况尽量选择poly电阻

2#说的是真理，以前有位元老级的老师也是这么说的

恩，poly电阻具有较好的温度和电压特性

学习了

方块值大的占面积小,但精度往往低,以及温度特性...
so,.......折衷考虑

2# navyhu
谢谢，我还想问一下上面说的poly电阻是说的Silicide N+(P+)poly吗?我看库里还有Non-Silicide N+ （P+）Poly，High Resistance Poly （rhrpo） , SP(SN) POLY RESISTOR，不知道有什么区别?
是不是non-silicide resistance 是非标准的工艺?制造成本高?

poly电阻也要根据层级，掺杂等加以区别的
前面兄弟所说的应该是rhrp, 高阻，foundry提供的高阻方阻在k级

考虑成本和性能的折中,建议用Silicide N+(P+)poly

很受教啊。学习啦

好贴 学习了

不得不更正一下：
建议采用non-silicide N+(P+) poly，而不是silicide。
详见半导体工艺。

nwell 电阻的变化量太大，一般就用non silicide poly电阻，silicidepoly电阻方块阻值好像比较小吧

non silicide poly电阻，silicidepoly电阻方块阻值?

ddddddddddddd

In the logic process. I think you can use p+-ploy. it is better.
And W=X um .. It dependon your circuit.
If I care match circuit , I always use W> 1.5um. For you reference

很受教啊。学习啦

HRpoly 可否当esd电阻用?

1# 323217588

each resistor has different temp coeff
and different sheet resistance
the area and the accurary is a trade off

非关键地方考虑用大方块的，减少面积

电阻用MOS管代替可以不? 9# navyhu

顺便求问ckt电阻和非ckt电阻的区别~

考虑温度特性，电压特性，方块电阻随工艺的变化，根据电阻大小考虑layout。

学习了

好贴,haotie,学习了