PTAT电流源求解释

采用如图所示的PTAT电流源对环形振荡器进行偏置，为了能在片外改变偏置电流的大小，R1通过两个IO口外接，流片测试后发现环形振荡器振荡出来的波形有抖动，在R1两端并上0.1uF的电容后抖动更加严重，很明显是IO口的寄生电容导致了偏置电路不稳定，为什么R1两端的电容会导致偏置电路受干扰，求解释?

是这样的：这个结构有正反馈和负反馈，理论上是要保证正反馈系数小于负反馈系数，即要求gmn10，11>1/R1。
但也可以在正反馈系数大于负反馈系数情况下使用，但一定要保证总环路增益小于1，即：gmn11/{1+gmn11*(R+1/gmpnp)//(1/cs)}<1.现在呢你寄生电容导致这个增益在高频时接近1.就振荡了。

总环路增益写错了，分子没有gmn11，是1.

你可以用stb仿真上面的环路，验证。

环路增益虽然接近1，但不大可能达到振荡的条件等于1吧，另外，环路是个正反馈，直流时环路的相移为0，有在高频振荡的可能吗?STB仿真稍后给出。

STB仿真见图，确实存在增益大于0dB的情况。这样看来的话，有振荡的可能性。这种情况一般怎么用瞬态仿真来体现呢?

你加上bonding 线大约有多长?加上bonding 线电感和pad寄生电容，跑下电源上电的过程。

电路是否稳定是不是瞬态仿真不一定能仿真出来，还是得靠交流仿真?设计时以5pF仿真过STB和瞬态的，看来错误地估计了寄生电容的大小。主要是R1上面那个管脚在高频时对地直接短路了，局部负反馈降低，不知道有没有什么补救的办法?

没仿真出来是因为你仿真条件和实际情况不同

求问有什么补救的办法么，基准不对，芯片都没法测了

M10和M11周围有dummy管么?你们能做FIB么?

”为了能在片外改变偏置电流的大小，R1通过两个IO口外接“这个方案谁给出来的?太失败了，

dummy 倒是有，不过fib是不大可能了，哎，设计时考虑不周啊。

不能fib，那几乎没法了。你这个振荡也可能与osc 振荡kickback 回来的抖动（ΔI） 经过这个不是很稳定的环路及寄生电感作用（由电感ΔI产生ΔV）产生的。

嗯，多谢了！还是经验不足，得向大家学习啊。