模拟设计的存储器电路仿真激励怎么弄啊
现在是用PWL写,但是感觉要算PWL的时间点好麻烦啊
不知道有没有简单一点的方法啊
而且信号又比较多
写个VEC激励吧,
VEC激励怎么产生呢?
看到Nanosim HAR里有一个地方是可以加载VEC的,但是还不是很理解怎么产生VEC
能不能给一下简单的VEC文件的例子参考下
有verilog-A写,很方便
你好,我虽然用过Veriloga,写过一些模型。但是还从没弄过VEC文件。你能给一个简单的例子么,我参考研究一下?
谢谢
首先用VERILOG写个。V文件,仿真生成。VCD文件,然后用命令:
vcd2vec -d -nvcd ./FILE.vcd-nsig ./io_top.sig -nvec ./FILE.vec
转换生成。VEC文件。
其中io_top.sig 文件是激励源端口列表,格式如下:
************************************************
#in MODULE_NAME.IO_NAME1
#in MODULE_MANE.IO_NAME2
...
...
...
#vih VALUE1
#vilVALUE2
#slope 10p
************************************************
当然,如果要求的激励不会很复杂,可以直接写。VEC文件,类似于写VPWL信号。格式如下:
************************************************
;input file: ./FILE_NAME.vcd
;sig info file: ./IO_NAME.sig
************************************************
radix11
vname
+ INPUT_NAME1
+ INPUT_NAME2
ioii
tunit ps
slope10
vih5.0
vil0
;II
;OO
;__
;N N
;AA
;MM
;E E
;1 2
0 00
1000000 01
1500000 01
2000000 00
2500000 00
3000000 01
3500000 01
4000000 00
4500000 00
.......................
非常感谢