关于论坛中下到的TI大牛的PTAT的疑问

启动时是正反馈，稳定后是负反馈，不会自锁的我猜

我本来是想用这个结构的 但是我导师一看就说有自锁问题 看了一堆自锁的资料 也不是很清楚到底会不会自锁
2# xyn777

这个。

这是个经典的结构，见过很多大公司的产品使用此结构，自己也使用过，流片结果和仿真一致。
可以让你们导师告诉你为什么会自锁?

Dump your adviser！

不可能自锁,电路就一个兼并点,哪来自锁

兼并点?什么意思?自锁和兼并点有关?

这不就是预防电源电压乱跳的恒流源

可以具体解释一下吗? 7# kuoyu2006

怎么没人回答呢?

放心的用，至少是ST常用结果

电阻引入负反馈，不会自锁吧
结构我用过，反剖出来的

Because of local feedback R, there is little chance to cause latchup(positive feedback).
It do have a positive feedback in this ckt,
but no harm to have a positive feedback with gain < 1.

ksnguo

sanson的书上见过类似的结构，可惜没有深入解释

sanson?是什么? 16# qerqing san

真是学习了啊

该电路的确可能不稳定，也就是输出要不很大要为不零，但是不太可能产生栓锁。
但是只要处理得当 是非常好的一个电流源
约定：由左下三极管开始 顺时针 依次设为 Q1 Q2 Q3 Q4
首先 断开Q1和Q4基级的连接，求整个环路增益。
A(open_loop)=gmq1*1/(1/gma3)*(gmQ2/(1+gmQ2*Rs)*(1/gmQ4))此处不明白可以再问我
分析可得，只要该环路增益<1，整个反馈便可以稳定。
所以只要满足
（gmQ1*gmQ2）/ （gmQ3*gmQ4）<1即可 （非充分条件）
根据分析可以得到：
如果 Q1 面积等于Q4 ,Q2等于Q3。那么只要 底下两个管子的发射区面积小于上面两个管子。则可以保证环路稳定。（再次注意，还要考虑到1+gmQ2*Rs，所以这不是稳定的充分条件）
呵呵好运

对于这个电路，很多人都做了回答，让你放心的用，这都是对的。但是，你给出的电路只是给出了部分，而且看你是想做什么用。如果你想做一个PTAT电流源，配合其他电路产生Bandgap参考电压，就要求对于Iin和Io需要让其镜像成合适的比例，保证Q1~Q4都工作在饱和区，并且有较高的hef，那么电阻R上的压降VR=（VBE3+VBE1）-（VBE4+VBE2）=kT/q *ln(mn)，如果你设计你的电阻式零温度系数的电阻，那么电流Io和或Iin就是一个PTAT电流了！一般的匹配要求Q4和Q1；Q3和Q2进行，这样使用一定要注意各个管子的工作状态和较高的电流增益。否则会引入较大的误差。

另外，该电路由于引入了正反馈 ，产生了负电阻
所以输入的跨到相当的大。
路过的说

太感谢了！好人 19# zhongbo1127

学习中！

我想知道开环增益是怎么算的? 19# zhongbo1127

嗯，师兄，就是这个电路哈

高手在哪里?

如果用BJT实现的话，该电路叫translinear cross-quad，让你导师自己弄明白就好了。

这种交叉接法有点像SRAM中的接法
取左下角为Q1，顺时针分别为Q2，Q3，Q4，
断开Q1的基极，则Q1->Q4的集电极为正反馈，Q1->Q2->Q3的集电极为负反馈
感觉正反馈比负反馈更大