关于PTAT电流源的一点疑问
时间:10-02
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一般的PTAT电流源在FF TT SS三个corner下仿真总是FF下的电流值最大,SS下的电流值最小,请问各位大侠,有什么方法能做到SS下的电流值最大,FF下的电流值最小?
把SS和FF的MODEL互换一下就可以做到SS下的电流值最大,FF下的电流值最小了
PTAT电流源的电流绝对值与工艺角有关,主要是电阻绝对值得影响,其次是bjt的Vbe电压,MOS管的工艺角影响不大,应为MOS管主要起电流镜作用,与工艺角又有什么关系呢,offset到会有很大影响
人家的电流源里面没说没有电阻
看你的CORNER模型下所修改的参数中的W和L的改变值就知道原因了
我想主要是由于W/L的改变导致沟道长度调制效应的影响不同所导致的原因所引起的电流的变化
不过在仿真的情况下,在MOS的corner下所引起的电流的变化并不是很大
不知道LZ用的什么model?
FF时的Vth最小,所以Id也就最大!
不明白什么意思
借问一个问题
为啥要使用PTAT电流源 而不是 与温度无关的电流源?。
飙车一族,驾驶进口赛摩狂飙!
有电阻吧?看看你的电阻model是不是在FF情况下小,在SS下大.
同意3楼的
路过同问,呵呵