请问什么是电压余度？

Razavi 的书上应该有讲

nihao
razavi书上只是说电压余度受某些参数的影响而变化，但我始终不理解什么是电压余度?

我也不太理解,是不是指要使管子都工作在饱和区所需要的更多的电压呢?

是不是指在确保管子工作在饱和区时，所牺牲的输出电压摆幅

电压余度 貌似 针对输出摆幅而言的

这种说法应该是说，在放大器或电流源中MOS管应该工作在饱和区，即Vds的最小值不能小于Vgs-Vth,即Von,但实际上Vds=Vgs-Vth时MOS管的性能并不是很理想，所以Vds的最小值应该比Von大0.1-0.2v，才能得到较为理想的性能，这0.1-0.2v应该就是传说中的电压余度，
这是我的理解，请指教

过驱动电压吧

好像是：mos管在Vth就導通，但需要有（VGS-Vth）做為過驅動電壓來獲得大的工作電流，繼而獲得需要的高增益，當然這就需要前級電路的輸出更大的擺幅，從而對低電壓工作的CMOS模擬電路提出更高要求，尤其在多級電路縱向級聯時，電壓余度要求決定了級聯結構和級數的多少。具體的定義在CMOS模擬電路設計中有。

比如一个放大器中，作为放大管的mos，要满足放大器线性度，需要Mos 工作在饱和区，及vds>=vgs-vth,及vout(vd)>=vg-vth,若等于时为vout=v1,这个电压余度就是vout_max-v1

按我的理解应该是输出的最高电压与管子在饱和区工作时的最低电压之差

电压裕度就是 电压的裕度

請看razavi的書 有很詳鏡的解釋

应该就是Vds-Vov吧，临界饱和的条件是Vdssat=Vov，但是实际设计中通常会让Vds比Vov大几百mV

我的理解：
一个管子保持饱和状态时需要的最小的Vds,说白了，就是临界点的过驱动电压。

还是my看明白啊

拉扎维上面没有太详细的解释，不过他的意思是电压摆幅。这个结论应该是正确的。

我靠，自己都没弄清楚，就好意思给别人解释，我和ls（也是我）是个s，，，b。好像电压余度不是过驱动电压。再查查

回去又想了想，更加清楚的解释就是输出电压所能达到的最大值与电路电源之间的差值，这就是电压余度。由于二极管连接的负载的电压损耗，输出电压往往达不到Vdd,而是Vdd-Vth，这个Vth就是电压余度，也叫做阈值损失，而线性负载或是电阻的消耗的电压余度就为0，也就是说输出电压可以达到Vdd。不知道这样解释解释清楚没有。还请高手指正！

这是电压摆幅

headroom