求科普一个概念，等效电阻

完蛋了，强迫症了，想不出来狂拔头发

从饱和时漏端看不到沟道，从源端可以看到。因此造成对称结构的器件，饱和偏置情况下，从两端看进去阻抗完全不同。

饱和的MOS管电流主要由VGS决定，VDS的影响很小。
所以如果从漏端施加一个delta V，改变的是VDS，电流改变很小，等效的电阻很大。
如果从源端看进去，因为栅极是固定电压，所以改变漏极电压就是直接改变VGS，电压增加delta V 电流会改变很大，等效的输入电阻很小。
包含受控电流（电压）源等效电阻的概念《电路》里面已经有了，不过当时受控源电路的组合没现在这么复杂，所以才感到有点难理解

管子饱和且gate电压一定时，低频阻抗一端看是ro，另一端看是1/gm。测试信号能影响gm的那端看进去是1/gm。

从源端看是1/(gm+gmb)，从漏端看ro

如果包括背珊效应的话，用1/(gm+gmb)代替1/gm。楼上说的没错。

一下子忘了“在某端点看到的电阻”是什么意思了，指的是直接看到的电阻还是端点到地的电阻?翻书找了下也没找到

一个管子的对地和直接看到的一样吧……只是要准备干活了，想弄的直观点，大概对电路中的MOS管电阻有个直觉

ro是不是可以直接理解为管子深线性区的导通电阻呢，还是饱和区时要其他另算?

小编好好看书呀，书上都讲的很清楚的呀，别老记一些稀里糊涂的结论。
小编需要的不是科普，是老老实实看书。呵呵

默认参考点是地。在地与某点间加测试源，在测试源所形成的电压与电流比值，就是所提到的阻抗。

看来前面说的都白说了。小编一点都没读懂。

r0是由沟道调制引起，是管子工作在饱和区后，漏源电压的增加引起漏源电流的增加所等效的电阻。