仿真pip电容，不同corner下容值无变化

为了估算不同corner下电路性能的差异，期望得到不同corner下 pip电容的容值的变化。
但是仿真得到的结果完全一样，一点变化都没有，可能是什么原因造成的
已经看了.scs，里面captypical 和capslow capfast 参数是不同的。
仿真方法是ee240介绍的，ac分析 1V 的交流电压 ，在0.5/3.1415926的频率下，扫描电容两端电压的变化，得到的电流值即为电容值。
有朋友遇到过这种不同corner，但是容值完全一样的情况吗?

工艺为CSMC st3600 BCD 工艺

用固定电流对电容充电相同的时间呢，最终电压也一样吗

在AC信号上加个固定DC偏压，再看看还相同不

一样，其他朋友用别的方法得到的结果完全一样。碰到的问题其实是corner下容值完全一样，没有任何一点点的差别。

完全一样，感觉不像是仿真方法的问题，要说软件有问题，感觉也很奇怪。

那你仿真DC下，看静态电容有差别么

真不好意思，上次没看到最后的回复，我自己用的tran 和ac 仿真方法，别的同事用的别的仿真方法，结果都是不同corner下容值完全一样。同样的方法用在不同的工艺上没问题的，就这个st3600 BCD工艺没区别。我想应该不是仿真的问题。

昨天问题解决了，是工艺库的问题，换了一个版本就好了