紧急求助关于电容问题

如上图的结构，要评估Vctrl变化的时候Vctrl到gnd的电容的大小变化，请帮忙说明下...
个人觉得当Vctrl小于阈值的时候，存在PN结电容和MOS电容。大小为Cpn+Cox。
当Vctrl大于阈值的时候，形成反型层，PN结电容面积增加，但是MOS电容迅速减小...
当Vctrl达到一定值，MOS电容接近0，只剩下PN结电容的最小值。这样分析有什么问题吗?
谢谢了！

另外，电容大小如何评估?简单计算Cpn+Cox?差了些资料，好像实际电容最大值远小于Cox，什么原因?谢谢了！

这个管子一头p一头n?

其实构不成管子，因为S和D不能导通。确实一端是N，一端是P，另外接sub的P+可以不要。做电容用的。

好像没见过！有人来解答吗

标题


没见过这么古怪的东西，怎不知道有什么用
diode 电容很小，gate 电容要在积累区
而且这样的东西不好制造

无法想象有人这样做电容，有什么好处?

就电容值来讲，这个结构电容值确实非常小。结构做起来应该问题不大，只是性能不好评估。
做这个结构是因为特殊需要，本身可以作为可变电容，他的最大值和最小值的比值很大，可以达到6甚至更大。
其它结构只能在3左右。还有种常用结构是做在nwell里面的，只是应用条件不允许，那个结构用的多些...

实际使用的时候基本上会跳过累积区，这个电容太大，和后面的电容值比变化剧烈...查过一些资料，这种结构没查到有人用过，所以不知道考虑的是否周全。另外，最好能做个参数评估，哪怕是定性的...

有意思的结构，持续关注~

被淹没了，顶下，大神们看看呀...

关于变比达到6甚至更大?麻烦你先上传相关资料

mark。

怎么看都象是在两个pn节电容之间切换

我也觉得确实是pn结电容在起作用，但是pn结面积是在变化的。这个结构最小电容接近栅氧电容的1/10甚至更少。

摩托罗拉和国内的复旦都做过相关的内容，最大的电容比结构我见过的资料大概在35左右。还有采用绝缘侧墙阻断载流子以增加电容比的结构，只是Q值大约10甚至更小。大电容比带来的不好的地方就是单位面积电容值急剧减小，这个最大值也远小于栅氧电容。至于资料搜下varactor就可以了，很多。国内见过的论文大约最大最小比值为6.8，好像是，记不得了。

另外，给你个截图，关于电容比的。

感謝分享！感謝分享！感謝分享！感謝分享！感謝分享！感謝分享！~

结构比较奇怪哟