求助！在HHNEC EF130 工艺库下做低电源电压Bandgap

各位同行，有没有用过HHNEC EF130工艺库的。如果用过，如何用short型管子实现低电源电压（最低0.8V）的Bandgap设计?
还有，有没有用过这个库里面的Native管子“ntvnative”作为输入对管的?这个管子的阈值电压在ff和ss下的变化太大了，初步仿真了一下，差了很多。而且，据坛里有人说这个管子有以下两点要注意的： 1)打开后可能关不掉.我觉得作为输入对管，正常工作下不用关断吧。
2)这个管子漏电大，有栅极到衬底的漏电，这个仿真看不出来啊?有没有实际流过片的，请解答！或者从该管子构成理论解释也可以。
坐等各位同行前来围观，非常谢谢

可能用这个库的比较少。
我的问题纠结在该工艺库下PMOS的阈值电压Vthp0约为-1.06V，在宽长比改变的情况下，阈值电压在-0.76V至-1.06V之间变化。如果用这样的P管作为输入对管，做一个简单的运算放大器。让运放工作在最低0.8V（项目需求）的工作电压下，对管上的流过的电流控制在500nA-600nA，且所有的管子工作在饱和区。
我想用的电路结构如下：

但是我觉得不太可能实现。
请各位路过点拨一下，非常谢谢！

看一下sensan书中给出的低压bandgap例子。

谢谢提醒。