请问开关管在线性区还是饱和区的转换速度快？

mos管用做开关管时，是在线性区时开启闭合的切换速度快还是在饱和区时的切换速度快些?
我觉得应该是线性区，今天师兄给我说是在饱和区，麻烦哪位大哥能不能回答一下?
不胜感激。
(我知道尺寸越大，导通电阻越小，切换速度就越快，那么相同尺寸下开关管是工作在饱和区还是线性区时切换速度快呢）

说的没有意义，开关啊，还有线性区饱和区?开关同了，两边点应该相同吧
Ron 越小越好咯

线性区或饱和区对开关切换速度没影响吗?

请问你如何把开关设到线性区或饱和区?
开关两端的电压是不受控制的，
例如：电容采样 开关一端高，另一端低，那么低的电压慢慢升高，直到两边相等，你说这个过程是什么区，饱和->线性
如果一直在饱和区意味一直有电流流过开关

哦，谢了哈
我说的是DAC工作时，有电流源通过的开关管是工作哪个区切换速度开些?
工作在线性区或饱和区我是通过控制开关管的栅极输入电压来设置的。

一句话, size越大越快，Ron越小越快

不对吧，DAC switch 确实是饱和区比较快，但是有的时候很难保证所有corner 开关一定是饱和的

弱弱问一下，开关有饱和的?

就这么说吧，current steering dac，10mA电流流出，落在外接50ohm/10pf的负载上，是1/0.1的开关快，还是100/0.1的开关快啊。
但是开关尺寸太大，前级的驱动也要相应加大，switch kick noise也更大，而且最终的充电速度还是I/CL，所以花太大size不划算，也没有必要

同样的尺寸, 你觉得让switch 在饱和区快还是线性区快呢?

尺寸相同，如果一个在饱和区，另一个在线性区，当然是饱和区的快，到这个问题的本质是什么?
本质就是有更多的电流要流过这个开关，就不得不把这个开关推向饱和区，就像堵车了，要拓宽马路这么简单

we are one the same page

LZ的意思应该是问要不要强反型吧~

同样尺寸，如果不考虑ctrl signal swing.感觉还是drive到triode更快，电流都是电流源决定的，大小假设不变。

不是要强反型哈，就是问相同尺寸下，开关管在饱和区的切换速度快还是在线性区的切换速度快。

控制栅极电压来控制开关工作在饱和，那这还叫一个开关么，还是说，饱和一会你又改变栅极电压让他又到了线性?

哦，因为找不到其他办法让开关管工作在饱和区了......
一开始我是改变开关管的宽长比，但要使它工作在饱和区的话需要很大的宽长比。然后我就改变开关管的栅极输入电压，比如在相同宽长比下，Vg是0V时闭合，1.2V时开启（PMOS管），那么管子闭合（有电流通过）时是在线性区；然后限制栅极输入电压的幅度，Vg是400mV时闭合，还是1.2V时闭合，那么管子闭合时就是在饱和区了。
不知道这样有什么问题......

开关的意思是导通电阻小，输出电压低，这样有开关的理想特性，但是又受到开关打开和关闭速度的影响，两者又是矛盾的，器件尺寸越大，导通电阻越小，但是输出电容大，速度低。器件在深线性区、线性区、临界饱和区时，速度是越来越快，这是因为，线性的越深意味着驱动强度越大，够到反型载流子越多，在导通时转换到截止时，必须及时对够到电荷泄放，在临界饱和区时，导通电阻不是很大，而且线性不是很深，容易关断。

开关管肯定是控制栅极电压，当（Vgs-Vth）大于零的时候开关就打开了。
前面说了，电阻越小开关速度越快，这点没有错。电阻计算公式为：饱和区：R=1/(un.Cox.(Vgs-Vth))，线性区：R=1/(un.Cox.Vds)，工作于饱和区的Vgs-Vth较大，故饱和区电阻小，速度快些。

单从MOS管的VDS-ID曲线看，那必须是饱和区的速度快，但是你的方法的是把栅电压改变，让MOS工作在饱和区的话，这时候可不好说了，因为VGS变小时候ID也会减小的，这时候的电流可能还没有一个大VGS在线性区的时候大。