阈值电压问题

衬偏效应。

显然是上面一个有体效应呗....

基础太差！

楼上不厚道

大家都是从新手过来的，不要鄙视人家啊，如2、3楼所说，上面的管子VSB≠0，下面的管子VSB=0，所以是衬偏效应，上面管子阈值或许会大很多。

上面的NMOS的Vbs<0，引起衬偏了

6楼正解。

顶新手， 多问多交流才能进步

除了body effect, 可能还有一个原因
不知道你cascode nmos 的 channel length是不是一样
如果是.18um以下的工艺，通常L越大，Vth越小
你这个是smic018?

在.13的工艺中，我也发现了L越大，阈值越小，这可与微电子器件理论里的结论相反，那里说的由于短沟道效应，Vt随L的减小而减小，不知道为什么

L在多大范围的现象?如果L很小短，可能会看到RSCE，反短沟效应。在90NM或以下比较明显，没注意.13的情况。

可能是大家对工艺和器件不太熟悉，我在好几年前就在坛子里发过帖子解释过这种现象
大家正常思维都是短沟道效应，length越短，Vth越小，这只是针对比较老的工艺和器件结构
从180nm开始，器件结构改变，
所以我准备写个帖子解释这个问题

衬偏效应

不错。呵呵

有劳了，相信很多人会因此受益的。
据我所知，反短沟效应和器件结构有直接关系，尤其是和为了减小短沟效应采取的halo注入，不知这种技术从什么尺寸开始使用?是180nm吗?

期待发布帖子

不要鄙视新手啊 你们老手都是从新手过来的 5L说的对

言而无信?期待大牛出现

我已经写了一个帖子详细解释反短沟道效应，你可以搜索一下

这个是衬偏效应了，衬底电压反比于阈值电压