请教: 工艺角的问题
就是会不会是所有的MOS管同处在同一工艺角,
比如 LVT NMOS管处在SS工艺角,那么同一芯片的 svt nmos也处在SS工艺角呢,
会不会LVT NMOS处在SS工艺角,SVT NMOS处在ff工艺角呢?
自己 顶
只能说有这个可能，但是概率很小，因为一个lot/wafer上的device通常来说是相关的
对于hvt/rvt/lvt device 来说，Vth的不同是因为做了3次不同剂量的implant，但是从同一个电子枪打出来的
一旦设备调试好了，误差也是差不多的，所以我们同常看到device会朝一个方向偏
还有一种case 是skew corner，比如fast n/slow p，但是这种情况也是比较少见的，原因同上
因为这些device都跟implant / annealing先关，所以这两个step上的误差对于active device来说是差不多的
这就是device corner shift的相关性
非常感谢！目前我只关心 SVT nmos和LVT NMOS的工艺角.
LVT device variation 会大一些
对于同一区域的同类型的管子而言，处在不同corner的可能性较小，比如运放对管，使用插指结构，光刻～离子注入或扩散的时，在同一个工艺角的概率，服从gauss分布，但不同模块的同类型管子就难说了，比如banggap和EA模块的同类型管子在不同的工艺角的概率就较大，进而不同die的相同类型的器件，处在不同corner的概率就更大，对于这样的情形需要进行Monte Carlo分析，然后在电路中关键模块增加trimming电路进行修正，以满足yield。
那不同类型,不同地方的的NMOS管,工艺角差异岂不更大了?
这个也是当然的，对于仿真而言，对于不同模块同类型的管子比如NMOS，即使处于不同的corner，对整体影响不大，比如电流镜模块，在偏置的模块的NMOS处于slow但EA模块的NMOS处于fast，这种概率相对而言较小，因为在离子注入的时候是在整个晶圆上用mask进行离子注入，一片8寸的晶圆上上几万颗芯片，离子注入的浓度对于同一个die而言可以认为是相同的，只是为了仿真方便，如果要考虑到你说的情况，电路中每个NMOS都有三种corner（以slow，fast，typical为例）假设整个电路有300个NMOS,300个PMOS，电容电阻暂不考虑，假设你已经设置好了每个NMOS的model，加上温度有三种（-40，25，140）那么你总共需要仿真多少次?你可以算算，这样你的产品何时才能出来?产品周期无限延长，为了仿真方便可以认为同一die中所有NMOS处于同一种corner，但考虑到这种情况需要对关键模块进行Monte Carlo分析。所以你提到的这种情况是存在的，在飞兆面试中他们也问到了这个问题。希望对你有所帮助。
谢谢！
不客气！