求助射频大功率输出端的ESD保护问题
时间:10-02
整理:3721RD
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各位大侠,我用TSMC018um工艺做射频放大器,由于是电感电容并联谐振输出,所以输出端的电压摆幅可以从0.5到3.2V,现在需要对输出端做ESD保护。
但是通常的二极管ESD保护方法在输出高于1.8V的时候ESD保护二极管会导通,导致电压输出电压摆幅只能到2.7V左右。
请路过的各位大侠指点一二!
但是通常的二极管ESD保护方法在输出高于1.8V的时候ESD保护二极管会导通,导致电压输出电压摆幅只能到2.7V左右。
请路过的各位大侠指点一二!
最简单的办法,串联几个diode,当然会牺牲esd效果
采用positive and negative stack NMOS的击穿结构
即:正向二极管(MOSFET) 串联一个反向二极管(MOSFET)的结构,可避免这个问题;
缺点:Vt1与被保护器件的耐压,需要考虑
重视射频性能的话,还是串二极管比较保险,重视esd而射频性能有余量的话,用一个mos管就能解决了
谢谢! stacked NMOS,原来早有人做了研究啊。
在EETOP上找了些关于这方面的资料:http://bbs.eetop.cn/thread-94776-1-1.html