bandgap温度曲线头朝下？还有bjt工作温度范围？

带运放的带隙基准，运放的两个输入端电位为0.7v左右
可是在vdd=1.8V的情况下，普通两级运放的共模输入电压范围无法包括0.7v这个范围，怎么办?help

我按照如图结构，tt情况下仿真结果5楼图，和期望的状态是相反的，不知道怎么调了

图中显示bjt工作范围是25-125，那么温度低一点就不能正常工作了阿，是不是-25开始，哪位朋友用过阿?

这个结构不实用的话能否推荐个结构，文章什么的，只有1个要求VDD=1.8V
vbe二阶参数跟曲线方向有关，可是设计的时候，npn管设计参数只有1个multiplier，其他都是固定好的吧，然后设计电阻，跟npn串联的阻值控制电流，阻值比控制ppm
这样子的话感觉就无法把曲线调成朝上的了，（为了做论文，真是没有办法阿），我觉得应该是工艺的问题，和设计参数应该没有关系?
banba的结构调整R3阻值的话可以得到不同的输出电压，今天把R3调高了，期望能得到大约1.2V的Vref，结果如下

1.2v的电压曲线就非常正常了,经微调后，ppm可以达到65左右

PMOS输入对管应该能支持VCM=0.7V吧，指标上Vos也很重要。
FYI

3q，我今天用lvtpmos差分对管勉强可以工作了。不知道仿真corner会不会无法正常工作。

我用的电阻都是rhr1k的电阻，参数如图，

自己顶一下，不知道是不是因为用的rhr1k的原因阿（温度系数是负的），还是因为电路设计不对

建议加入trimming的结构，要不然很难做准

1. 参考相同电流密度下的Vbe曲线，Vbe二阶温度系数的正负决定了曲线开口方向。
2. 如果怀疑电阻TC的影响，建议换成理想电阻。

电源电压1.8V的话，没必要用lvt的器件。普通期间就行了。

如果电源1.2V以下，才考虑lvt mos

3q,trimming应该是电路完成之后的工作吧，不太了解

3q，多谢指点，准备按照你给的方法试试。

0.5um的工艺，vthp0几乎等于1v，所以感觉普通的pmos电压裕度不够..

电阻全部换成理想电阻仿真，还是如图朝下的结果

虽然你说的vbe二阶参数跟曲线方向有关，可是设计的时候，npn管设计参数只有1个multiplier，其他都是固定好的吧，然后设计电阻，跟npn串联的阻值控制电流，阻值比控制ppm
这样子的话感觉就无法把曲线调成朝上的了，（为了做论文，真是没有办法阿），我觉得应该是工艺的问题，和设计参数应该没有关系?

从公式推导来看，调整bjt的面积比是可以改变温度曲线的。

VBE的二阶系数（或更高阶）就是由工艺决定的。如果不是工程，加个上凸的曲率补偿就可以搞定ppm了。

凹函数嘛，这个跟工艺有关吧

是不是NPN用的是2X2的啦?试试5X5的。这个问题我遇到过

1.你把那两个51.42K的电阻换成几个串联，从抽头来出来给放大器就解决输入共模的问题了
2.仿个Vbe随温度变化的曲线吧，求2次导数看看。

碰到过，应该正常，和工艺有关。或者用理想电阻试试看

与电阻温度系数不该有关系。改改BJT电流密度，看看如何。

3q,cmos工艺bjt面积是固定的，qvp5，10，20可选

请问你是什么工艺，我这是csmc 0.5um的，只有pnp管 qvp5，10，20

1.放大器的输入共模电压是由vbe决定的吧，所以大概是0.6～0.7v?我用了低阈值mos暂时解决了
2.

这个是求了2次导数的曲线，随着温度的变化，这个值有正有负，求导是用了deriv（deriv（vbe）），请问这个值是否是正的就对应凸曲线，负的对应凹的?
还有一张图，这个是工艺中bjt的工作范围，

，25c～125c

改电流密度的意思是改变pnp管的偏置电流吗?通过调整和pnp管串联的阻值?

温度范围确实有点奇怪，到不是说低于25就不工作了。如果不是笔误，那就是model建的比较弱，低于25模型精度无法保证

1.我的意思是比如vbe是0.7,那么你用两个大小相等电阻串联，那么你从两个电阻串联的中间点出来的电压就是0.35，放大器的输入端连接这个0.35的地方就可以用pmos输入对管解决了。
2.看了你的曲线在0度以后二阶导数就是正的了，那个和你的那个开口向上的曲线是一致的，看来零温度系数点有两个了。

CSMC 可能会有这个现象的，没问题
model的事情。和你无关

0.5um 工艺 电压1.8V?

3q