active region 有源区 解释

包括源漏和沟道的区域,即除去场氧的区域

谢谢 还想问一个问题
多晶硅可以跨越源区或漏区引出来吗

poly跨越源区或漏区，产生寄生的MOS管

弱弱地问一下为什么产生的是寄生MOS管啊?

这个所谓的寄生晶体管，其源漏沟道是同一掺杂啊而且其源漏是短接的 影响应该不会太大吧

先做POLY层，后离子注入，跨越ACTIVE的POLY下边，离子无法注入，形成一个寄生的管子，可以用METAL跨过ACTIVE,要不DRC也会报错