PAD寄生电感的问题

前一阵子在做BUCK型DC_DC,好不容易仿真通过.后来有师兄说整体仿真要在PAD点处串联3nH的寄生电感.在GND上加入寄生电感后,由于在POWER MOS导通瞬间与关断瞬间的大电流,GND的电压被寄生电感拉出6V左右的纹波电压.POWER MOS不能正常开关.同理,在VIN上加入3nH的寄生电感,内部电源的电压被纹波强制拉至0.如何修改才能尽可能减小寄生电感上的电压变化?

在chip internal power - ground加decouple capacitor

该过冲发生在POWER MOS 的导通, 关断瞬间, 由于10uH的电感电流不会瞬变, 内部3nH的电感电流瞬间跳到10uH电感的电流而产生的强烈电压变化. 在芯片外部的电源与地间有10uF的耦合电容.不影响仿真结果.

我说在内部节点加电容，兄弟硬要在芯片外部加电容

片内的电容不能加大, 假设接10pF电容, 根本无法减小纹波.毕竟POWER MOS导通瞬间3nH的电感可以从0充电到2A.

电源是不是线形增加的?

一般chip内部都回填decoupling cap的，只要空的面积，全填满
10pf很小，100pF 1000pF都可以做出来的
0.25um device 大概是6f~8f/um^2 ， 10pF 大约50um*50um，大么? 估计你的输出管面积比这个都大

--------------------------------------------
你说的decoupling cap 是在电源和地之间加的吗 ?

我觉得回填是个好方法，而且dummy还可以加在电容下方。这个电容不需要有多高的Q值，只是其滤波作用。

是所有的PAD 都要加
还是只是电源和地线要加电感?

寄生电感加的太大了吧。

1－5nH都有可能

打线的话，一般会power_gnd sw 和 VIN 都是几个pad 电感1nH/mm 加入2个到3个pad 并联的话。寄生电感值应该不会超过1nH吧。