求教相关参数的计算

根据spice模型参数文件，可以得到+tox = '1.3E-8+toxn' ，tt中就是1.3*10E-8 m ，根据拉扎维书上13页说的：tox=0.5*10E-8 m时，Cox=6.9fF/um^2，而Cox=(硅的介电常数)/tox，可得模型中Cox=(0.5*10E-8/1.3*10E-8)*6.9 fF/um^2=2.6538 fF/um^2，电子迁移率是+u0 = 4.95094E-2 m^2/v/s
然后计算得KPn=U0*Cox=4.95094*(10^-2)*(10^12) um^2/v/s * 2.6538*(10^-9) uF/um^2=131.388 uA/v^2
但是按这个计算的参数，手算的结果总是和仿真结果差别很大，根据仿真中处于饱和状态的MOS管按饱和区电流公式计算得KPn=42.94 uA/V^2，两者差距很大，很是不解，求高手解疑啊！如何根据spice模型提取手算的模型参数了

是不是电子迁移率看错了，看成N管了?将U0减小一半，结果就差不多了。怎么觉得你计算的是N管，仿真的是P管

是计算的N管，再说两者差三倍了，查了下资料，发现比较复杂的模型一般都是通过仿真提取出参数来的，不知道谁有经验介绍下 啊

把你的网表发来看下~

我之前也发现这个问题，一直没有正解。
这人理解仿真与PCM给的是吻合的，是在大信号下测得的数据。
ID=1/2 u Cox W/L（VGS-VT）^2，此时是在VGS=VDD时测得的，过驱动很大，电子迁移率在大信号下有迁移率衰减（可参看Gray书中电子迁移率衰减一节），导致K‘变小，只有30-50uA/V^2左右。
但在小信号分析时，由于MOS的过驱动不是非常大，输入信号变化量又非常小，迁移率衰减变得不严重。小信号分析时K‘在100uA/V^2左右。
以上是个人理解，不知道是不是正解，有没有人给个正解。