设计PTAT时，corner的影响是不是很大？

有几个原因：
1。回路的gain过小，因此across corner时造成offset，导致PTAT变化，这个可以从DCOP看出来
2。看看model里面ff到底变咯什么，是否已经包括BJT的变化。
3。输出的current mirror rds 不够，稍微一变化corner就会导致current 变化

谢谢你的关注以及回复，
我会针对你的这几个原因进行验证，另外ff是fast的model，包括res和bjt

多大是指多大?1%的变化是很正常的。

昨天看还是如题，今天配上图了么，呵呵
不算温度变化， 这个variation 就是电阻的 corner variation
+/- 20%就是corner定义的值

谢谢回复 那照这么说的话，PTAT中的电阻类型应该选取corner变化最小的，而不一定非要用具有负温度系数的高阻poly?

观察这个电路，首先，你的电路必须匹配好，尽量防止sys offset， 减少random offset那么过corner的时候，假设两条之路电路电流相等，那么，（vbeL-vbeR）/r 在Ic相等的情况下，分是不会有大的变化 （bjt面积一样）。那么此时，看电阻的变化，通常+-10%。自己推。

明显是设计的不好，只要保证X和Y两路的电流一样大，这个电路才是合格的。
把匹配管的尺寸做大点！

我第一次做这种结构的bandgap的时候
各个corner输出电压的温度特性都能维持在10ppm之内。
如果是运放结构的可以优化到5ppm。

公式可以帮你更好的理解bandgap
同时还要仿真确定bjt的指数区间
一般VBE在0.6到0.7伏特之间比较好。

楼上注意了，小编说的是电流

这个电路我在用90nm做的时候，性能不怎么好，特别是PSRR。当然我的vdd也低。