关于MOS电容，想到一个电容容值的问题，请教一下

MOS电容低电压时电容容值和电压强相关
突然想到一个问题
假设一个NMOS电容，最终工作于MIS电容的正电压平坦的那段的状态
那么单位面积电容应该是Cox
其上电荷为Cox*V
但是如果考虑整个充电过程
那么总的电压可以分解为N个ΔV
总的电荷应该为SUM(ΔV*C(ΔV*n)) n=1→N
由于在电压低于阈值的时候，C(ΔV*n) < Cox
那么岂不是意味着第一个电荷值 > 第二个电荷值
这样是明显不合理的啊
到底哪个是错的呢?

在这n个delta v的过程中，C也从小变大，mos电容的单位面积电容不一定等于cox

电荷积累的过程在数学上是电容对电压的积分过程，即∫CdV，其中C是V的函数，关系就是MOSFET的C-V curve，不能看作constant