如何判断hspice仿真出来的管子的状态是对的还是错的
我的疑问也由此产生，当给Ｄ端加一个小的理想电流源时，当电流源小的一定程度时，做op运算后，他会显示管子cutoff.
当然这里的cutoff是个幌子，你mirror一下，照样出电流。
我的问题是，除了这种显然的情况，啥时候的cutoff其实也是sat的呢?或者有的时候显示是cutoff,看看数据时sub-th,其实却是sat呢
你说的“当电流源小的一定程度时”，其实已经是MOS管的工作极限了，不仅仅是Model不支持的问题，而且已经到了IDS小于漏电的极限了。所以这个你几乎不用考虑，simulation的结果早就不可信了，多做Option，silicon结果才是王道。
而且这种电路结果一般离散性很大，除非是POR这种对电流不太重要的电路。否则不建议使用，尤其是current mirror。
典型的sub-threshold，工作在这种区域model完全不准，这可是simulation和measurement巨大差异的血淋淋的教训(不是我做的...)
确实要多做option，节省再次流片成本，也为FIB做好准备...不过话说回来，design的时候还是尽量少让管子进入sub-threshold
我原来也不敢这么干的，只不过最近公司买了几个IP，我看了一下他的Bandgap出来的电流都是250n,然后mirror给opamp。我测了一下管子在不同L下的Kn和Kp，然后估算了一下在Vdat=0.07下的管子的电流密度（我的经验Vdat再小的话，就Sub了），发现current-mirror的管子太大了。
仿真发现mirror进来的管子是亚阈值区（我老大说实际是sat的）。
因为我之前也没有敢抠电流，一般的话，最多抠到Vdat=0.07，再下面就不敢抠了，电流也不敢再喂的小了。
因为人家公司是大牛，设计基本没问题过（流片的成功率），所以我想以后是不是自己设计的时候，电流还能再喂的小的。（就是管子的理论电流密度大点也无所谓）
250nA用作电流镜还是没啥问题的，进入亚阈值区只是因为电流密度小，这种情况在运放输入对管也能看到常常是在亚阈值区，不过实际流片出来都没啥问题。基本上跑corner、温度下电流能保证到100nA以上的电流用起来都不会有问题，以上是个人经验，等大牛。
250nA不算小哇，没事的。到底多少算小应该由每个工艺特点而定的。我做过最小的也到过100nA。但是那得需要好工艺。
那个时候管子工作在亚阈值区没错，可是在亚阈值区不等不不在饱和区，正常工作是没问题的。这个时候有的把电流镜尺寸弄大是基于mismatch的考虑。因为亚阈值区几乎等于用把MOS管当做了三极管来用，所以MOS本身的model已经没有多大意义了。
还有MOS工作在亚阈值的时候就需要你考虑得更多了，比如管子是放大管还是偏置管?对漏极到Sub的漏电敏感不敏感?直流工作点的最大范围是多少?等等。只看simulation结果的话会比较危险的。
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我记得两年前讨论过这个问题，有一个老兄看了人家设计的在0.5V下工作的芯片，我说这种东西reliability有问题，就是paper上忽悠人的，subthreshold的东西经不起PVT和mismatch变化（差分输入关系不大）。电流镜的就和size，vdsat有关。按照device亚阈值exponential law，70mV/dec，就是70mV电流变化一个数量级，mismatch几个mV都是要命的事，只要headroom够就尽量少用亚于阈值
我觉得subthreshold model的数学公式是准的，指数规律，就是对device Vth mismatch非常敏感，就相当于对这个公式加了一个offset，所以跑monte carlo分析应该可以看到分布更离散
这个也要看情况，如果是1uA的管子，宽长比为100:1，这样管子肯定在sub-threshold，但model应该不会有什么大问题。
上面的人说的250nA算大的了，我们以前那个project一条支路电流只有40nA，这么弱的电流下，model不可能准到哪里去
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这个想法似乎有问题，model与单位W/L的电流密度有关，和1uA还是40nA这个绝对值没有关系，只要size设计的对，都是准的
不认为和电流绝对值毫无关系，40nA什么概念，在deep sub-micron下可以说和漏电流一个数量级(比如charge pump加在mos gate上导致的gate leakage)。你能说model对漏电流的预测是准的?至少我从simulation和measurement来看差得远了。这么弱的电流很受外界因素的影响，simulation根本不能信，你也无法说model是否是准的，除非你能证明simualtion和measurement相吻合，否则没有说服力
前面你举了个例子1uA W/L=100:1，你认为model还是准确的
那么做一个scaling down，40nA W/L=4:1，model就不准确了么?
只是面积小了，offset 和mismatch变大了，所以你会觉得simualtion 和measurement偏差很大
如果你做成 40nA W/L=1:100，matching 保证比 1uA W/L=100:1好
BTW:关于你说的leakage，既然做这么低功耗，肯定是厚氧appliance，漏电怎么会到nA级?
在你做仿真时应该看不到才对
呵呵，多做option是什么意思啊~
就是.op看静态工作点（每个管子的状态，电流电压）