单级放大器增益一般为多少啊？.13um工艺

用core device当然到不了40dB，要做cascode结构

尺寸搞大点。上60dB绝对没问题

单级想达到100+估计要用gainboost

请教一下兄弟，gainboost是什么结构啊?

40+是没问题的，就是用你的结构。刚好有一个，你试试。

cascode结构或多级结构

是不是L增大后lambda会减小啊

lambda正比于1/L啊

40dB是没有问题的。

L取0.35um时增益只有20到30左右，L取到1um-2um时增益为100左右

请教这个，尾管栅压与NMOS阈值相差几十mV的样子吧? 这样在电路中会不会有什么不好的影响。
在学校的时候经常说要有个0.2V的过驱动电压的说~
ps：为了这个0.2V，最近经常用倒宽长比的NMOS管。

我觉得你可能静态工作点设计的不是太好，一级增益应该能够轻松达到20dB+的。

单级可以考虑让对管工作在亚阈值区。

单级要gain用cascode

偏置电流取1u,L取4试试，应该在60以上！

电流使劲小，栅长使劲大 ，增益会很大

单级放大器增益可以通过增加输入管跨导或者mos负载电阻，前者可以通过减小bias电流实现，让其工作在weak inversion. 后者可以通过减小bias 电流或者减小沟道长度调制系数(lamda)实现. .13um工艺取2um的gate length lamda就快小到饱和了.

gm不是与Id成正比吗，怎么还减小偏置电流?

还要看带宽