yin请教：采用0.13umCMOS工艺，如何使DC-DC工作在5V的输入电压
问题：普通0.13um CMOS工艺下，MOS管最高可承受的电压为3.6V，采取什么办法可以实现电源电压为5V的要求呢?
特别是功率级驱动电路的设计
请高手指点，thx
驱动电路一样处理。
你的功率管是内置的吗，如果是，感觉5V下可靠性有问题。
很有趣的想法啊，顶上来
首先0.13器件怎么可能耐3.6V呢，这个有问题，应该是外面高压管耐3.6V吧（外面是0.35器件?）
这个问题可以解决的话应该很有意思有点联想到D类放大器的正压输出结构
不是HV5V的工艺的话，就等着报废吧。栅极耐压性值得考验
看tox=?,一般3。3V的器件也就4V不到了！5V一般0.25um或0.35um以上工艺才会提供！
5V应该是0.5um工艺的标准
栅直接接5V应该会让栅电场达到击穿的
我的想法是有没有可能产生一个中间2.5V电源，分高压低压两条线各自跑，当然每个P器件的栅和衬底电位都要小心考虑，所有的N器件就只能接那个2.5V的电源了
0.35um有5V工艺的！
这个你可以把这个5V的电压分成两部分，也就是产生一个2.5V的电压，这一点很容易做到的，用电阻分压实现
然后把你的电路按照两个电压段去做控制，这样就能保证，上下区域的管子都工作在有效范围内
拆成两个VDS可能可以避免击穿，但是VDB，VSB可能击穿
拆成两个管子串联跟增大L是一回事，只能防止横向穿通
0.13um可以提供3.3V的管子，0.18um有5V的工艺
主要电路设计一些技巧，确保任何transistor任何两端都不超过3.6V
主要就是I/O口和LDO的设计
只有用5V工艺了
0p13工艺中mm工艺最高支持到3.6伏，那是工艺厂说法，其实工作在4伏没多大问题，这也符合一般电池供电电压，但是可能会有tddb效应，产品寿命问题
个人认为，关键是静态的时候怎么抗5V, 没有能抗5V的器件，当连接到5V的时候，DCDC不工作，总有个器件要承受5V的电压。
所以挺难的。
5V22.5V
现在的foundy都会提供ｍｕｌｔｉ－ｖｏｌｔａｇｅ的工艺，比如ＴＳＩＭＣ ０.１８ｕｍ
可同时提供１.８V，５V，３２V不同耐压器件
学习之。
学学。 不错
5V,1.2V?
有种管子分类叫I/O transistor，即使在65nm工艺里也有2.5V,3.6V的管子...是厚氧+较长沟道的，常用于数字电路的对外接口
另外既然是做LDO，那么直接找高压管就行了，最后再考虑电路
Does tsmc 0.13um provide dual gate oxide process ? you can check their model card