有谁知道CMOS工艺角中sf corner的具体含义吗？

通常是slow fast
有可能是slow nmos fast pmos；也有可能是slow pmos fast nmos。
要是缩写成snfp或者spfn就好认多了。
具体看你的model里面，section sf里面咋写的吧。

也有可能是slow pmos fast nmos --------->哪个foundry这么变态?

主要是我不能肯定sf=slow nmos fast pmos，只好两种可能都说了
要是我起名字，肯定是snfp这种

尚未发现

这个要看工艺库文件里面模型是怎么说的了 可以打开看看

应该有一定规则的，先N还是先P忘记了 。TT，SS，FF。

thanks

thanks

一般都是N在前，P在后吧。

这个我也想问问 fast 和 slow 之间的区别，主要是因为迁移率Un不同吗?
有没有高手转么解释下 fast 和 slow 之间主要是与设计有关的参数有大的变化了?
谢谢

去看model文件的corner section定义，一般可以直接看到哪些参数不同。
再根据bsimmodel的说明搞清楚这些参数影响什么，就ok了。
一般model文件目录有一个pdf说明文件，里面也谁说哪些参数不同。
is,vth,tox,u0,cj... 很多变化的

我用的工艺就是p在前n在后

哪家工艺，报上名来?

一般都是N在上，P在下吧。

学习了，以前倒是没有注意这些细节方面的东西

自己查看工艺文件吧

工艺厂商生产时的偏差，可以归结到阈值电压的偏差。快的工艺角的阈值电压低，这样MOS的驱动能力也就跟着变快了。

学习了

*.scs文件的开头部分写着呢。并且一般是N在前P在后~