有关AB类输出放大级

此种结构的AB类放大器作为输出级，在艾伦的书中有提到过，但是，在它上面所有的pmos衬底是接到高电位，nmos衬底是接到低电位。本人在实际当中碰到的结构是上面的两个nmos的衬底接的是低电位，但是下面的两个pmos衬底都是是和源极短接的，但是这样会使上面的两个nmos的阈值电压非常大，管子很难工作在饱和区，于是我就想能不能把所有的nmos和pmos的衬底都和自身的源极短接，那样的话每个管子的阈值电压会小些，管子就可以都可以处于饱和区……不知道我的这种做法可不可行?希望和大家共同探讨！

不是不可以，前提是你的工艺有deep n-well，但在实际设计中我们都尽量不去用这种管子
其次这种结构不适合低压应用

这个可能是高压应用的，专门提高threshold voltage的。