如何设计bandgap-OK信号？

除非用片外基准来检测，否则无法知道片内bandgap是什么时候真正稳定了，所以通常采用延时的方法：一种是直接在上电（或使能）后延时足够长的时间，认为bandgap应该稳定了；另一种是让bandgap输出和一个简单基准，比如一个Vth去比较，当Vref>Vth（比如对于1.2V输出），然后再延时一段时间后给出bandgap稳定信号。后一种方法可以排除bandgap没启动的问题，稍好一些。

你的意思是第一种方法可能需要某种计时电路，至少osc之类的电路吧?
而第二种可以用diode-connected mos作为一个reference，然后还需要比较器对吧?
感觉过去两种方法都使得电路变得复杂，die size增加，哎..

延时不用osc，但不管哪种方法，增加电路复杂性和面积是不可避免的，不过增加的die size相比bandgap自身来说还是很小吧。

VREF接在NMOS的Gate端，drain接一个电流源就OK了
后面的信号就加delay，可以用电阻以及MOS电容的方式或者，小电流加MOS电容

delay 就可以实现

shixian delay

就是利用小电流对mos cap慢慢充电来获得延时吧?感觉这样不是传统意义上的delay吧?bandgap-OK波形变成一个缓慢上升的信号，而不是一个经过delay后的阶跃信号

有没有具体点得延时电路呢?

5楼的方法就挺好的。
延时的获得，用小电流给电容充电的方式比较经济实惠。

明白了，多做几级反向分别对mos cap充电可以比较好的实现delay，不过面积有点大，呵呵

用小电流充电，面积不会大的。