请问该bandgap的温度曲线为什么是 S 型

图和仿真曲线如下

50°以上的曲线不对了，你用了n-well电阻作bias?

2-order temperature compensation is "s"
1-order temperature compensation is "n"

使用nwell或者respp电阻做bias，温度曲线是一样的

我觉得该电路只进行了1-order补偿，所以很奇怪为何温度曲线出现了“s”曲线

另外，请问像使用这种电流镜结构实现的bandgap，如何提高vref的psr呢

虽然二阶效应会有S-shape的趋势，但一般不会出来真正的s-shape，所以很奇怪这个电路怎么会这样。
还是仔细对比一下各个支路的电流和电压，和理论上的一阶的理想情况差异在哪里。

把bandgap core 那四路电流从左至右分别称为支路A、B、C、D。则没有电流支路A（最左边的那路电流）的情况下，Vref的温度特性是“n”型的，而且电流支路Ｂ、Ｃ、D这三路电流相等，且三路支路的电流镜MOS管的漏端电压E、F、G点相等；但加上电流支路A以后，支路B和C电流相等，支路D的电流和B、C不相等，节点G也无法等于E和F点，而Vref的温度曲线变成“S”型

而且，即使通过方法把支路D调节到和B、C路电流相等，E、F、G点电压相等，Vref的温度曲线还是“S”型

?

呃，不太明白。理论分析时各支路电流关系是怎样的?A路起什么作用?

设计的时候，B、C路的电流是相等的，D路是偏置，根据比例关系，电流也是和B，C路相等的。为了提高PSR，加了A路电流，但加入A路电流后就出现了上述情况

正负温度系数不一样吧

我最近也遇到了相同的问题，困惑中

电路不全，没有误差放大电路?
最好把全电路贴出来

我做的一阶带隙也是s型的，当时师兄说是工艺的原因，属于巧合。

这个应该是电阻问题，我也遇见过。把电阻换成理想模型就正常了。，

某些工艺模型下仿真是有可能的

同问?

没有看清你的电流镜像的位置，以及A支路的作用，但一般S型曲线跟电阻，以及MOS的body漏电有关，你可逐一排除。