gm随频率的变化

我仿一个最基本的的MOS管的AC仿真特性，观察到MOS管漏端电流随着频率增加而增加，个人感觉不应该，不是应该变小的吗?

图片已上传，帮忙看看啊。电路栅极直流电压时0.7V漏极电压时1.2V，第一个图示做AC扫描获得漏极电流的值。

自己顶顶，希望有牛人回答下

输出阻抗减小。电流增加，嗯。我的理解。

你电路是怎么搭的?

应该是频率提高，gm下降。
请把电路图贴出来

无图无真相啊

图片已经上传了 又看看帮忙看看啊

我觉得不应该，如果这样的话，那MOS管的截止频率不没了吗?

我认为这是由于寄生电容引起的。当频率很高时，更多的电流将从寄生电容流过，所以AC仿真结果上电流增多了，我认为增多的部分主要由寄生电容引起。

我就是你这个观点。

为什么会没呢?你的最高工作频率与低频跨导和寄生电容有关系哟。而你推导公式到最后你会看到你的最高工作频率与你的迁移率，过饱和电压，和沟道长度有关系的。每个mos管都有最高工作频率的。

还有就是，你可以写出你的MOS管的交流D端电流公式，你就看出了随着频率增加为什么你电流会增大了。

也就是9楼说的东西

根据这幅图说说的只有栅源之间的那个电容上的电压才被转化为漏电流，而频率增加电容上的压降变小，那么根据ids=gm*vc的话，ids也是减少的啊

可不可以当成当频率变高的时候，交流漏电流一部分是流过Cgd了，而且这部分还比较大，所以导致漏电流变大了

exactly

我认为，在一般的晶体管的分析过程中，没有考虑gm会随频率变化。
晶体管的极限频率：gm/（2π*Cgs）。在这里gm应该视为与频率无关的constant吧。
gm之所以会在Vgs信号为超高频时下降，是由于器件沟道的反型层跟不上Vgs的变化，Id自然也跟不上Vgs的变化。