微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微波和射频技术 > RFIC设计学习交流 > 芯片内部降压处理

芯片内部降压处理

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
小弟目前遇到一个问题,目前有一个模拟IP供电是3.3V 1.9mW的,也就是约600uA的工作电流,但是整个芯片必须工作在5V或3.3V,整体功耗非常低,所以内部会有控制这个IP何时打开何时关闭。
如果工作在5V,那么芯片内部需要一个降压电路。如果工作在3.3V就不需要降压电路了,各位大大有没有比较好的建议来实现,有电路更好。
谢谢!

自己设计一个3.3V-5V输入,固定电压输出的LDO就可以解决这个问题!为什么纠结于一个完全不合适的IP?

重新设计一个ADC太花时间了啊,只好用IP了。

直接做一个3.3v输出的ldo吧

就是嘛

恩恩,有没有结构简单一点的LDO?

最简单的LDO结构就成!OTA+bypass

最简单就用源跟随器呀,两级,一是N管VTH,5V的0.6~0.7V左右吧,加个大负载电阻,电流也不大,电阻上电压也就4.3V,再加到二级NMOS栅上,输出也就3.6V了,加个大点的电容,0.6mA电流,很容易就满足了。

负载电路的速度问题呢

NMOS做跟随速度应该足够,自己仿一下,还有负载电流也不大,尺寸很小的,响应也快

ADC的VREF是 3.3V 电源供给的吗? ADC参考电压非常重要,一般需要外接0.1uF的外接电容。

ADC是3.3V,但是100pF的电容面积有点太大了。

那如果vdd是3.3V怎么办列,那输出不就只有1.9V了。

做一个比较器!?
电压大于3.3V,LDO启动。

nice...

这个问题需要有人继续解释啊……

看来是没人来解释了。
用的工艺是3.3V core voltage的,但是有5V的管子,和ZMOS,是不是可以考虑用ZMOS来实现降压处理呢?
有高人指点没?

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top