求助：如何在hspice下仿真工艺参数漂移的影响

求助：
小女子本科毕设中，做的是电流源的校准，就是通过一些反馈电路和电流镜。想仿真一下工艺漂移（比如Vt、beta）对电流校准精度的影响，不知道该从何下手。是不是直接修改模型文件中的参数呢?那样一次不是只能仿真一种漂移么?
还有就是corner的问题，这个是指器件的速度吧?这个对我的这项工艺仿真有意义么?
初学者啊，还望大家指教。多谢多谢~

找些 monte carlo simulation ..一般 sim 是 直接 把 如 delta VT..使用 sweep重復simulation但是這類 sim使用 monte carlo 比較好但是會跑很久..

非常感谢，这就去尝试

你用的工艺给你提供工艺容差没
如果有TT ,FF ,SS FS ,SF 的话
你用.alter
.del
.可以一起行跑完所有的容差

恩，各工艺角的仿真我倒是一直都做得，就是不太理解这个，这个是指的器件的速度吧

恩，各工艺角的仿真我倒是一直都做得，就是不太理解这个，这个是指的器件的速度吧

将model文件放进去跑就好了啊

就是说每次跑的时候把model改一下?初学者啊，还望大家指点

TT SS。FF这些指的是由于工艺偏差导致栅氧层厚度不一样进而最直接就影响到MOS管的阈值不同

u need to know the parameter Avt for ur process since usually threshold voltage mismatch dominate DC current mismatch.

ddddddddddd

thankxxx