求助：VDMOS的I－V特性

要降低导通电阻，其中最主要的部分就是阱的掺杂浓度，但是阱的掺杂浓度太低将影响击穿电压，所以可以用一些必然场板、场线环等来提高击穿，适当的提高阱的掺杂浓度！

楼上的老兄能说说计算VDMOS的沟道场宽比时用哪个I－V关系吗?是用一般MOS的I－V关系还是用其他的?
谢谢

同问一下

特性都是一样的,只是有V沟, 使得能够通过大的电流

dgdgdfgdf

现在一般都用TrenchMOS了，Rdson更小，Cgd也小，更省面积。