问一个floded cascode运放的问题

这个没啥好的，浪费一条支路的电流，增益少6dB。

我也遇到过类似的电路,是用来做比较器的...

楼上的，没浪费。增益还是gm1*Rout.
电流镜放上面下面都可以吧，我觉得没什么大区别。实在要说区别的话，就是平衡时vout输出电压不同。
用pmos电流镜，平衡时大概vout=vdd-vth；用nmos电流镜，大概vout=vth。
书上没讲的电路多了去了，自己按照书上的方法推一下就可以了。对应一下就行，不用真的推出书上那么完美的公式来。

应该不少6dB，你仔细算算?
cascode那个点是个低阻抗点，小信号电流大部分流入了这个节点。
既然不能流入上面的管子，那就一定流入了下面的那个管子。
cascode那两个管子可是构成反馈的噢。

小编去好好看看allen吧，讲的很清楚

好像和书上讲的区别不大吧

OK，可能是我错了，我还真没有仔细算。
还真有书上讲这个电路，sansen的analog design essential 英文版chapter7, page 226.
不知道有什么好处，实际中没见过这样用的。

8# goodsilicon
你肯定错了。
实际中就这样用的，如果输出电压比较低，这样用可以减少一点系统误差

我不知道

oh, my god！

实际中应该用的很多的吧

区别不大，非要说区别，这个电路可以省一支偏置电流产生电路

9# vdslafe zen
怎样减少系统误差呀?

thanks

最大的差别是PSRR：
理想情况下(1/gm<<Rds)，对于NMOS mirror，从电源到输出VO的增益为0；
对于PMOS mirror，从电源到输出VO的增益为1.

输出的swing 会大点，输入的范围可以从很低的电压开始
这个电路用处还是挺大的
在做pipeline ADC 中gain-boosting电路一般会用，但是要该下结构
rail-to-rail 也会用输入的结构，不过是2个拼接

1. 节约了一路偏置
2. 折叠处的阻抗更低，高频极点更高
3. psrr+更好
4. 输出电压低时system offset更小
很常见的结构

真的比那种常见的结构还常见吗?
哪一种曝光率更高些?

jianjing526,你能解释一下为什么psrr+和offset更好么，说具体一点

to goodsilicon, 两种cascode的使用频率没有去对比过，对于一个特定的spec可能两者都可以用，用哪个纯粹是个人倾向
to smelly
psrr+之所以优于常规结构是电流镜的位置决定的，一般来说1/gm相对rds是个低阻通路；system offset=(Vout+-Vout-)/Aol, Vout+设定为op的输出，Vout-为对应的反向输出端(常规结构中为vcc-vgsp, 这个结构里为vgsn), 在Aol等同的情况下，Vout+小点system offset会好点

电流镜的位置跟psrr有关，在下面是抑制GND的噪声，在上面是抑制VDD的噪声。

没什么特别啊，看看书就知道了

swing較大, gain相同,

接p或接n當然有差
gmro*ro
gmn > gmp 接下rl較大

值得研究

可以增大输入共模范围

sansen的书上讲了

大信号是不一样的， 对电容充电的电流另外一种结构的一半。就是说 slew-rate,会有点问题。
主要用在输出平衡电压低的场合，两级运放的第二级可以直接用 nmos管，要不就只能用pmos，或者common-drain + nmos.

值得一想