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功率管在片内的电源IC需要特别考虑些什么问题?

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
面试的时候被问到这个问题,当时无语,汗颜!
请高手解答

xiang zhi dao..

芯片发热问题?

串扰 闩锁 发热

我也被问到这个问题.

是不是诸如闩锁效应,驱动电路的死区时间限制等等啊?
期待高手给个详细解答!谢谢!

我顶!

我再顶!

Dead time control; current density(metal and via); bondwire 寄生电阻大小; power MOS仿真设计与实际值的偏差;current sense结构选取以及仿真设计与实际偏差。

谢谢解答
还被问到这样的问题,如下:
LDO,输入是2.7V~10,输出为3.3V,最大输出电流为1A
当输入为10V,输出电流为1A的时候,有6.7W的功耗消耗在功率管,如何处理这6.7W的功耗?
望高手解答,谢谢



非常精辟,这是从实际经验中获得的,谢谢。

这个问题提得应该有背景的,单单你这个问题那是没有什么解决办法,LDO不是SMPS,这部分功耗无法解决,只能把散热做好一点

要考虑功率管发射极非均匀偏置,热失控和二次击穿

电路结构如果确定了的话,只能从layout上安排功率管均匀散热吧?

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