为什么说空穴比电子的lifetime长？

如果说的是平均自由时间的话，没有空穴比电子大的说法，可以认为是平均自由时间相等，空穴比电子重，所以空穴的迁移率低。
如果指载流子的寿命，影响因素相当复杂，没有空穴比电子大的说法。

刚才看BJT, 说由于BJT是靠两种载流子（电子和空穴）传导，而DMOS只有一种（电子），由于空穴的lifetime比电子长，所以BJT的开关速度比dmos要慢。不太理解?

同学习。

坐等高人解答！

开关速度貌似bjt快吧

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