为什么一般用pmos input pair，因 为它比nmos input SR更快吗？
我之前一直以为是p mos的低噪声
今天读 Martin的书才发现低噪声只是一方面，
更重要的是p mos input pair的slew rate更好， 书上说这是因为p mos input pair 有更大的Veb,
可这是为什么呢?
牛牛们跟讲讲吧，我实在是没看懂。
Ken Martin的书5.1.5节，
谢谢
5.1.3上面讲的很清楚啊
在带宽和功耗一定的情况下，SR=VSAT*GBWUP<UN 所以 VSATP>VSATN 在电流一定情况下
PMOS的SR比NMOS大点
我照本宣书了
我觉得应该是根据输入共模范围决定的吧
谢谢楼上两位的讨论，
仔细考虑了一下，我认为David Johns 和 Ken Martin的说法是错的。
GB = g_m/C_L; g_m = \mu C_ox W/L V_(EB)
所以 GB 可以化成 \mu C_ox W/L V_(EB) / C_L
如果使用pmos 而不是n mos, 由于pmos的\mu C_ox 是nmos的1/3, 为了match GB, V_EB必须要提高到3倍。
当然前提是W/L比是一定的，这也是Ken Martin书上做的假定。
但这个时候再来看一下电流，电流和\mu C_ox成正比，和V_EB 的平方成正比，所以电流提高到1/3 * (3)^2 =3倍，所以power也提高了三倍。
再回头看SR,Ken Martin最后算出来SR=V_eb *GB; 的确SR提高了三倍，但power也提高了三倍。
所以这是没有任何用处的。
有另一个公式， SR=P/(2V_DD * C_L), 我们可以看到SR只和第一级的power有关。
至于为什么用pmos input pair, 第一是噪声，第二是如果你第一级用pmos,第二级一般不得不用nmos， nmos有更高的\mu C_ox, 较快，所以可以更快的驱动电容负载
我觉得他指的功耗和带宽一定的前提下
是这个意思
SR/GBW=4PI*IDS/gm
我觉得 GBW=gm/Cc
要保证GBW一样 我们可以改变 Cc在不同的输入对下补偿电容值也不一样，所以我们可以改变CC保证GBW一样
而且电流一定 GMP<GMN 所以 SRP>SPN
个人意见
如果仅考虑SR可以有多种电路电路结构做大SR，并非一定要用PMOS输入，好像PMOS的噪声特性比NMOS要小些吧，加上在P-SUB中PMOS没有衬偏效应，最大的可能是输入共模电压范围的要求选PMOS，在折叠结构中，PMOS输入的CMRR好像要好一些。
谢谢大侠们
又学到东西了 谢谢
ddddddddddddddddd
Sansen的Analog Design Essential里面提到PMOS可以做在通一个阱里，匹配更好,因此一般用PMOS作输入对管（chapter15）
真不错