请教各位高手有关Hspice仿真曲线不规则振荡的问题

有关Hspice仿真问题请教各位高手：

电路的仿真曲线错误，且出现非常不规则的振荡，具体问题描述如下，麻烦各位高手指点一二：

电路如下所示，是分别对两个NMOS管加不同的衬底偏压，检测他们的漏电流，两个衬底偏压也是由电阻分压得到的，成0.8倍的关系。

网表：

*.param y=0

VdVDD！ 0 1.0

V1 Body1 0 pwl 0 -2.5,150n 0

Ms1 VDD！ 0 0 BODY1 NMOS L=100n W=200nM=1000

Ms2 VDD！ 0 0 BODY2 NMOS L=100n W=200nM=1000

R2BODY2BODY1200k

R10BODY2800k

.tran 0.1n 150n

.probe I1(MS1) I1(MS2)

* INCLUDE FILES

.lib'D:\Lc_simulation\lib\PTM_1020\90nm.lib' tt

* END OF NETLIST

.TEMP25.0000

.OP

.save

.OPTIONpost=1 opts nomod

+PROBE=0

.END

仿真结束后得到的曲线是错误的，而且带有不规则的震荡，两个衬偏也不是0.8倍，电流完全不正确：

若将其中的线性源语句中的单位由ns改成us，即改为“V1 Body1 0 pwl 0 -2.5,150u 0”，仿真时间也相应的变为“.tran 0.1u 150u”,则仿真结果符合理想预期：

如果用直流扫描来做，其中将线性源语句改为“V1 BODY1 0 y ”，用直流从-2.5扫描到0，步长为0.01V（.dc y -2.5 0 0.01），那么得到的结果符合理想预期：

请问各位高手，是什么原因导致了这个问题呢?

如果还是想用仿真时间为150ns，步长为0.1ns做瞬态仿真，如何改进才能使曲线正确呢?（因为仿真时间是由电路的前一级决定的，不可以随意更改）

麻烦各位高手指点迷津啊……困扰我好久了……万分感谢！

M＝1000， 所以寄生电容很大的，可能是这个原因。

先扫个直流看一下, 或者设一下仿真精度试试,
BTW: 搞的是什么东西，nmos的body不能随便接，是tirple well? ESD?

谢谢，有可能因为这个原因……我今天用spectre仿了一下，就没出现这样的问题……就不知道怎么样才能让Hspice也放出正确的曲线……谢谢高手！

谢谢高手的指教！我做的是一个衬底偏压自适应调节的电路，所以先看看随着衬底偏压变化，漏电流是怎么变的。我做dc扫描了，完全没问题，结果符合理想预期，只是一用.tran 0.1n 150n做瞬态仿真就不对了……期待高手指点。

很好的资源啊

建议你不要搞这样的飞机, 做在psub上的nmos body不可调，就是整个芯片的地
要试也只能拿pmos试，而且body电压最多只有0.6V的调节范围
见到有人在0.5V/0.6V的电源电压下搞这个体电压偏置，
你是在学校里搞，感觉方向不对