求助ee工艺中pip电容
时间:10-02
整理:3721RD
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最近在做SMIC ee工艺的设计,看到他的pip电容的构成挺复杂的,有SN,CG,GT,ONO,CAPBP,SN是有源区,GT应该是栅,感觉CG也是栅,毕竟是pip嘛,因为没有design rule,所与苦于不知道他的构成,希望知道的兄弟指点一下
Thank you very much!
CG,GT都是栅
ONO好像是跟着GT走的,也就是说为了区分高压MOS与低压MOS栅氧化层的厚度而存在的一个层次,具体的我忘了
CAPBP是电容的标识层
SN,我就不知道在这是干什么的了!
应该和poly电阻两端加SN的作用相同吧,是。忘了
ls正解。